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伊藤 久義; 吉川 正人; 早川 直宏; 作間 栄一郎*; 梨山 勇*
EIM-88-120, p.25 - 34, 1988/12
CVD(Chemical Vapor Deposition)法により作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶に対し、その電子線照射損傷を電子スピン共鳴(ESR)法を用いて調べた。その結果、3C-SiC中に電子線照射により誘起される4種類のESRセンター(T1~T4センター)が存在することを見い出した。T1センターは等間隔で分離した等方的な5本線で構成され、そのg値は2.0029
0.0001である。T2センターは約100k以下の低温で検出され、異方性を持つ。T3及びT4センターは室温において観測され、かつ異方性を示す。さらに、照射試料の等時及び等温アニールにより、欠陥のアニール挙動について調べた。